【摘 要】
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该文主要介绍了作者在功能准一维纳米材料的制备和场发射性能研究两方面所做的工作.具体内容如下:利用物理蒸发的方法,在水平管式炉中大量制备出了各种CaO准一维纳米结构,包
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该文主要介绍了作者在功能准一维纳米材料的制备和场发射性能研究两方面所做的工作.具体内容如下:利用物理蒸发的方法,在水平管式炉中大量制备出了各种Ca<,2>O<,3>准一维纳米结构,包括:纳米线、纳米带、纳米片和微米-纳米棒及晶须等.利用扫描电子显微(SEM)、透射电子显微(TEM)、高分辨透射电子显微(HRTEM)和选区电子衍射(SEAD)等手段对其形貌和微观结构进行了表征,并利用X-射线衍射谱(XRD)和能量散射谱(EDS)对其粉末相和化学成分进行了分析.根据实验条件和所得产物形貌之间的关系,对Ca<,2>O<,3>准一维纳米结构的生长机制进行了系统的分析和讨论.在得到各种Ca<,2>O<,3>准一维结构的同时,我们也在管式炉中生长出了大量超细非晶SiO<,2>纳米线阵列.对产物的SEM和TEM分析表明,阵列中纳米线直径分布均匀,平均在8nm左右,可能是迄今为止最细的SiO<,2>一维结构.利用一台专门的场发射系统,我们测量了用热丝CVD(HDCVD)方法制备的多壁纳米碳管膜和在管式炉中制备的ZnO纳米针尖阵列的场致发射性能.实验结果发现,两者均具有较低的场发射开启场强和较高的发射电流密度.分别对两者的场发射行为和影响场发射性能的因素进行了分析和讨论,为深入理解其场发射机制和未来在场发射电子器件中的应用奠定了基础.
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