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该论文围绕深槽隔离结构和镍硅化物的热稳定性进行研究.深槽结构的研究服务于该课题组的军事预先研究项目——S波段Si双极微波功率晶体管,用于提高BC结的反向击穿电压;对镍硅化物的研究是为了提高其热稳定性.对深槽结构进行了计算机模拟和优化,得出了优化的深槽结构参数,即槽宽1μm~2μm,槽深大于等于4μm,槽壁生长300nmSiO<,2>作为隔离介质,槽内部填充非掺杂的多晶硅.这种结构的深槽无论用作器件和电路的隔离还是用于提高硅双极微波功率晶体管BC结的反向击穿电压,效果都比较理想.详细地探讨了深槽的刻蚀工艺,得出了一个比较优良的刻蚀条件,即ICP刻蚀过程中先采用偏压源功率13W,当槽深接近所需深度时,偏压源功率降低为8W,这样的刻蚀条件能得到形貌满足要求的深槽.刻蚀后对深槽进行处理很必要,提出湿法腐蚀方法处理深槽来消除ICP刻蚀深槽所引起的缺陷,该法具有新意.对比了未经处理的、退火处理的以及湿法腐蚀等三种方法处理的深槽器件,结果表明湿法腐蚀的方法最优.首次提出在NiSi薄膜中掺Zr,并对其热稳定性进行了研究.在600℃~850℃温度范围内快速热退火后Ni(Zr)Si薄膜的薄层电阻低,约为4.5~6.6 Ω/□.XRD分析和Raman光谱分析均显示经600℃~800℃快速热退火后薄膜中只有NiSi相而不存在NiSi2物相.因此掺Zr能够有效延缓NiSi2的形成,使镍硅化物的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度提高到800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度提高了将近150℃.为了考察Ni(Zr)Si薄膜与硅接触的电学性能,制作了Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管,结果表明经受600℃~850℃不同温度的快速热退火,肖特基接触仍然良好,肖特基势垒高度为0.62eV,理想因子接近于1.说明Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管特性良好.