【摘 要】
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该文针对提高RF MEMS无源元器件的品质因数这一问题,在北大微电子学研究院实验条件的基础上实现了化学镀铜和化学镀镍工艺,并把它应用在RF MEMS无源器件的结构上.通过反复实
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该文针对提高RF MEMS无源元器件的品质因数这一问题,在北大微电子学研究院实验条件的基础上实现了化学镀铜和化学镀镍工艺,并把它应用在RF MEMS无源器件的结构上.通过反复实验,摸索出了镀出优质薄铜层的条件,并进一步探索且实现了铜镍镀层和镍铜镀层这两种复合镀层.在基于标准体硅工艺设计出RF MEMS无源元器件的制备工艺的前提下,对器件的具体结构参数进行了模拟、分析和设计,最终确定了器件的结构参数.在已制备出的RF MEMS无源元器件的表面实施化学镀,得到了质量良好的金属镀层.采用网络分析仪对器件的高频特性进行了测试,发现镀金属层后,电感的Q值提高很多.最后对目前尚存在的问题进行了分析,并对今后进一步的研究工作提出了一些建议.
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