【摘 要】
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SOI技术是下一代微电子技术的重要研究方向,它具有功耗小,速度高,等比例缩小特性良好等优异性质,而SOI MOSFET则是下一代集成电路的基本工作器件,它的基本电学性能的研究是目
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SOI技术是下一代微电子技术的重要研究方向,它具有功耗小,速度高,等比例缩小特性良好等优异性质,而SOI MOSFET则是下一代集成电路的基本工作器件,它的基本电学性能的研究是目前该领域的核心问题.该论文应用计算机数值模拟的手段,编制了器件模拟器并详细研究了SOI MOSFET器件的电学特性,包括内部的电势,载流子浓度分布和栅极阈值电压,跨导等基本电学参数与器件结构,掺杂浓度,外加偏压的关系,并且进一步研究了SOI双栅MOSFET器件的电学性能,对两种器件的模拟结果进行了理论分析,归纳出阈值和跨导的具体数值,指出了某些优异性能在实践中的用处.论文的理论分析和模拟结果,直观的勾勒出了SOI MOSFET的实时工作状态,特别是对器件工作时内部的情况有全面展现,这对器件工作机理的直观理解提供了很大方便.电学参数的研究,对建立完备的、可用于电路级模拟的SOI器件模型,提供了前瞻性想法.而各电学参数与结构参数的关系的模拟结果,为实际器件的制造和优化指出了方向.
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