【摘 要】
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位于Si-SiO2界面处的界面陷阱和氧化层陷阱是影响器件性能的主要因素之一.在器 件的使用过程中,诸如F-N应力、电离辐射及热载流子效应等机制都会产生和引入新生界面 陷阱和氧
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位于Si-SiO2界面处的界面陷阱和氧化层陷阱是影响器件性能的主要因素之一.在器 件的使用过程中,诸如F-N应力、电离辐射及热载流子效应等机制都会产生和引入新生界面 陷阱和氧化层陷阱.这些新生陷阱是器件特性退化的主要原因,所以研究界面陷阱性质和数量就显得十分重要.该文主要研究了电荷泵电流的原理和模型,并应用该模型测量了界面陷阱平均密度及其能量分布.研究分析了几种已有的非均匀应力老化后的界面陷阱横向分布和氧化层陷阱电荷横身分布的电荷泵测量技术,给出了技术评估.并在此基在础上发展了一种新的测量界面陷阱和氧化层陷阱电荷分布的电荷泵技术,应用此技术研究了热载流子应力后的界面陷阱特点.最后,作者研究分析了一种有效测量氧化层边缘陷阱的电荷泵测量技术,并给出了技术评估.通过作者的研究,作者认为电荷泵技术是一种操作简便、可靠的测量界面陷阱和氧化层陷阱的测量技术.
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