【摘 要】
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自从微电子技术诞生以来,集成电路一直在按照摩尔定律的预测在发展,芯片性能越来越高,工艺尺寸变得越来越小,目前已经到了纳米量级,随之而来的是更多的问题。而在早期不为业
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自从微电子技术诞生以来,集成电路一直在按照摩尔定律的预测在发展,芯片性能越来越高,工艺尺寸变得越来越小,目前已经到了纳米量级,随之而来的是更多的问题。而在早期不为业界所重视的封装技术现在已经成为研究的重点。高密度的封装也可以大大提高芯片的集成度和性能。基于这种考虑,高密度的TSV(through-silicon via,硅穿孔)封装技术被提了出来。本文对TSV技术的关键工艺,深槽淀积绝缘介质的模拟研究开展了研究。用计算机仿真的方法可以大大节省实验资源,所以有很好的应用前景。 深槽淀积绝缘介质薄膜是TSV工艺的关键工艺,本文分析了PECVD淀积二氧化硅和CVD淀积有机物Parylene(派瑞林)的机理,研究了模拟的物理模型和算法等,基于线元的算法,通过C++编程,开发了模拟程序,用计算机仿真的方法研究了深槽淀积二氧化硅以及Parylene工艺的过程。本文的主要工作在于:研究了表面粒子流的模型;针对不同的模型参数、深槽结构等开展了深槽淀积的模拟研究;提出了一种模拟Parylene淀积的模型,模拟结果得到了实验结果的验证。 本文还研究了PIN中子探测器的稳定性。为满足探测器的应用要求,其IV特性必须有足够高的稳定性。本文通过工艺流片制备了硅PIN中子探测器结构,对其IV稳定性开展了测试研究。文中研究了封装、老化等影响稳定性的因素,并通过再流片的工艺改进,明显提高了探测器的稳定性。
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