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Performance Variation in Mono-Layer MoS2 Tunnel Transistors Due to Gate Oxide Thickness Fluctuations

来源 :第二十届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：limi330

【作 者】

：

Juan Lv Xiang-Wei Jiang Jian Gong 

【机 构】

：

Institute of physics and science technology,Inner Mongolia university,,Hohhot in Inner Mongolia,0100

【出 处】

：

第二十届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2015年3期

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