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具有相分离的InGaN基蓝绿双波长纳米柱LED制备及光学特性研究
【机 构】
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山东大学物理学院,山东济南,250100
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
其他文献
The layered graphene was deposited by exploit technique,and the graphene based field effect transistor was fabricated by ultraviolet photolithography method.
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