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Low-Temperature Fabrication of High Performance Indium Oxide Thin Film Transistors
【机 构】
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College of Physics and Lab of New Fiber Materials and Modern Textile,Growing Base for State Key Labo
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
其他文献
本文采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb 衬底生长InAs/GaSb 二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(<2 微米),短波(2-3 微米)以及中波(3-5 微米)红外探测.在77 K 下,超短波范围内对应的50％截止波长为1.91 微米,峰值为1.84 微米,Johnson 限制噪声探测率达1.1*1013 Jones；在短波范围内,对应的50％截止波长为2.56 微米,峰值波
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