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拓扑绝缘体Bi2Te3纳米薄片的微纳加工及其量子点器件
【机 构】
:
北京大学电子系纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871 北京大学化学与分子工程学院,
【出 处】
:
第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
:
2015年3期
其他文献
The layered graphene was deposited by exploit technique,and the graphene based field effect transistor was fabricated by ultraviolet photolithography method.
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