【摘 要】
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InGaN green laser diodes(LDs)have attracted great attention in the past few years due to the potential application in laser display.Several research groups
【机 构】
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Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics,Chinese Academy of Sciences,China
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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InGaN green laser diodes(LDs)have attracted great attention in the past few years due to the potential application in laser display.Several research groups have realized InGaN green LDs on either polar or semi-polar GaN substrates.No matter which orientation is used,large difference of optimal growth temperatures required for green InGaN quantum wells(QWs)and GaN quantum barriers(QBs)and p-AlGaN cladding layer as well is one of difficulties to grow LD structures with high quality.In this paper,we report how to circumvent this issue,which has not yet been reported in details.
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