【摘 要】
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GaN基宽禁带半导体具有直接禁带、制止波长锐利、高抑制比等特点,基于氮化镓(GaN)的Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体材料,通过掺杂铝(Al)或铟(In),调节组分可以制备出不同响应波段的
【机 构】
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中科院成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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GaN基宽禁带半导体具有直接禁带、制止波长锐利、高抑制比等特点,基于氮化镓(GaN)的Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体材料,通过掺杂铝(Al)或铟(In),调节组分可以制备出不同响应波段的紫外探测器.在材料生长、和芯片工艺等的不断突破下,AlGaN紫外探测器受到关注,并发展起来.GaN基紫外探测器从前期以解决材料生长和芯片工艺难点为中心,向以应用需求为导向进行发展.从十五期间的低铝组分探测器研究到十一五期间的高铝组分日盲探测器的研究,到十二五期间的具有一定成熟度的高性能焦平面探测器的研究.
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