【摘 要】
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4H-SiC基宽带隙半导体材料具有高热导率,高饱和迁移率,高辐射硬度,杰出的化学机械稳定性以及成熟的材料制备技术.由4H-SiC材料制备的紫外雪崩光电探测器也因此具有高量子效率
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院,南京,210093
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
4H-SiC基宽带隙半导体材料具有高热导率,高饱和迁移率,高辐射硬度,杰出的化学机械稳定性以及成熟的材料制备技术.由4H-SiC材料制备的紫外雪崩光电探测器也因此具有高量子效率、低漏电流和高增益的特性.本项工作中,通过扫描开尔文显微术(SKPM)直接测试分析了4H-SiC紫外雪崩光电探测器(APD)的表面电场分布,并与模拟的结果进行了印证,为器件性能提升和工艺优化提供了依据.
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