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本文讨论四个问题：1,居里温度在室温以上的稀磁半导体材料：鎵锰氮；2,圆偏光电流效应(CPGE)与价带结构的关系,ZnO和GaN价带结构的比较；3,氮化物中自旋输运的测量与解释；4,一维量子线中的自旋轨道耦合的各向异性与外电场诱导。
氮化物半导体与自旋电子学
【摘 要】
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本文讨论四个问题：1,居里温度在室温以上的稀磁半导体材料：鎵锰氮；2,圆偏光电流效应(CPGE)与价带结构的关系,ZnO和GaN价带结构的比较；3,氮化物中自旋输运的测量与解释；4,一维
【机 构】
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北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
【发表日期】
：
2015年期
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