氮化物面发射激光器的增益开关特性

• 作 者: 陈少强[1]翁国恩[2]胡小波[1]张保平[3]秋山英文[4]
• 机 构: 华东师范大学电子工程系,上海,200241,中国
• 出 处: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
• 发表日期: 2015年期

近年来,随着科学界和工业界不断增强对宽禁带半导体氮化物材料和器件特性研究的科研投入,基于宽禁带半导体氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件发展迅速,并以其优异的发光特性迅速填补了光电子器件在蓝光领域的空白,2014度的三位诺贝尔获奖者也正是因为在此领域中的突出贡献而获奖.研究并进一步促进基于氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件的实际应用对中国科技发展和经济建设都具有重要意义.氮化物脉冲激光器在下一代3D光存储器,生物显像以及时间分辨荧光谱等诸多领域里都有很多的潜在应用价值.研究了InGaN多量子阱垂直腔面发射激光器的光泵浦增益开关特性，分别利用3周期和10周期的VCSEL，在光泵浦的条件下，成功获得了6皮秒和2.2皮秒的增益开关脉冲，从实验上证实了减少光子的寿命和提高面发射激光器的增益确实有助于获得更短的增益开关光脉冲。