论文部分内容阅读
4H-SiC基肖特基结紫外探测器的高温和可靠性研究
【机 构】
：
南京大学电子科学与工程学院,江苏南京,210093
【出 处】
：
第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
：
2015年7期
其他文献
Effect of Ⅴ-shaped Pit Size on quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emit
会议
近年来,随着科学界和工业界不断增强对宽禁带半导体氮化物材料和器件特性研究的科研投入,基于宽禁带半导体氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件发展迅速,并以其优异的发光
会议
与传统边发射激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有单纵模工作、低阈值、圆形对称光斑、与光纤耦合效率高以及制作成本低等优点,因而在高密度光存储、高分辨率激光打印
会议
AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)是GaN基器件的重要组成部分,广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL),光电探测器和发光二极管(LED)等器件中.但是由于AlN和GaN具有较大的晶
会议
表面等离激元(SP)与多量子阱(MQWs)耦合可以有效提高绿光LED出光效率,其出光机理已经有相关报道.通过Laplace方程求解的局域表面等离激元模式标明,仅有偶极模式的能量出射,高
会议
在CMOS图像传感器中,折射式微透镜起到提高光子收集效率的作用.对于红外探测器,折射式微透镜的汇聚作用能够使光敏元的面积进一步缩小,小面积光敏元具有更小的暗电流、电容,
会议
宽禁带AlGaN具有热导率高、击穿电压高、电子饱和速率高、介电常数低、物理化学性质稳定等诸多优异性能,作为第三代半导体创新的下一个前沿,是制造紫外光电子器件理想且不可
会议
由于臭氧层的吸收,太阳光中240～280nm波段在近地面区域十分微弱,被称为日盲区.因此日盲探测避开了强大的太阳辐射背景,降低了信号处理难度,可对极微弱的人造日盲紫外信号进行
会议
4H-SiC基宽带隙半导体材料具有高热导率,高饱和迁移率,高辐射硬度,杰出的化学机械稳定性以及成熟的材料制备技术.由4H-SiC材料制备的紫外雪崩光电探测器也因此具有高量子效率