ZnO纳米线热增强场发射及其二极平板X射线源的应用

• 作 者: 张志鹏 陈道坤 陈毅聪 宋晓萌 佘峻聪 邓少芝 许宁生 陈军
• 机 构: 中山大学电子与信息学院,光电材料与技术国家重点实验室,显示材料与技术广东省重点实验室
• 出 处: 中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
• 发表日期: 2016年期
• 关键词: ZnO纳米线 热增强 场发射特性 平板 射线源 大面积均匀 应用前景 氧化技术

　　ZnO纳米线具有优良的场发射特性，在大面积平板电子源具有重要应用前景.其中，使用ZnO纳米线冷阴极的平板X射线源具有低功耗、寿命长、体积小和可寻址等优点，有望实现产业化.在本研究中，我们采用热氧化技术制备了大面积均匀的ZnO纳米线.研究了ZnO纳米线场发射的温度效应被，发现温度从323K变化至723K时，发射电流增加了约2个数量级，开启电场从6.04 MV/m下降到5.0 MV/m.