【摘 要】
：
随着纳米电子学和纳米光电子学器件的不断进步,对高性能碳基场发射体的需求越来越迫切[1-7]。但是迄今为止,碳基薄膜场发射体的宏观性能离实用化仍有相当的距离。因此设
【出 处】
：
中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
论文部分内容阅读
随着纳米电子学和纳米光电子学器件的不断进步,对高性能碳基场发射体的需求越来越迫切[1-7]。但是迄今为止,碳基薄膜场发射体的宏观性能离实用化仍有相当的距离。因此设计和研究各种纳米碳基复合场发射阴极以提高发射体场发射性能的各种努力都是必要的。近年来,一些学者对金刚石/碳纳米管(CNT)复合阴极场发射进行了研究[6,8-12],但结果仍不能令人十分满意。
其他文献
传统的热阴极因工作温度高、启动速度慢、热耗散大和实现精细结构困难等缺陷大大限制了行波管性能的提升，碳纳米管场致发射阴极(CNT FEA)正好能克服热阴极的上述缺陷而被
为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(衬底温度
在p型硅衬底上制备的基于HfOx薄膜的MOS结构器件,加电后会在介质层形成导电通路,可热致激发出连续光谱的可见光.为研究ZnO-HfOx层对器件发光特性的影响,在p型硅衬底上制备了1
碳纳米管作为优异的场致发射冷阴极材料在真空电子器件上有着广阔地应用前景,是目前国内外在该领域的研究热点之一。本文报道了国内中山大学和电子科技大学联合研制的多
CVD法所制备的金刚石薄膜自然地具有氢终端和负电子亲和势,非常有利于二次电子的发射.本文探讨了CVD法制备金刚石过程中,衬底温度对金刚石薄膜质量及形貌的影响,同时研究了所
真空沟道金属-氧化物-半导体(MOS)二极管是一种电子在真空沟道中的弹道传输与固态电子器件结构相结合的产物,兼具了真空电子器件和固态电子器件的优点.本文提出一种圆形真空
在电子束持续轰击下由于表面电荷积累,MgO薄膜的二次电子发射系数会随着时间逐渐减小,掺入Au能有效地提高薄膜的导电性,抑制表面电荷积累效应,改善其二次电子发射特性.本文采
分析研究了悬栅折角石墨烯场效应晶体管(FET)的输运特性,以及折角尖端场致发射特性.相比于悬栅平面石墨烯FET,折角石墨烯FET结构因急剧增大的电场强度可以有效地增强石墨烯沟
本文采用磁控溅射法在n型单晶硅衬底上沉积无定型氧化硅薄膜并通过高温退火处理分相形成纳米硅薄膜,制备了基于MOS型阴极结构的纳米硅薄膜平面型冷阴极并测试了电子发射特性.
利用电泳沉积制备石墨烯阴极,通过简单的溶液法在石墨烯表面生长氧化锌量子点,改善场发射性能.石墨烯-氧化锌量子点复合发射体表现出良好的场发射性能,与纯石墨烯相比,其具有