【摘 要】
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CVD法所制备的金刚石薄膜自然地具有氢终端和负电子亲和势,非常有利于二次电子的发射.本文探讨了CVD法制备金刚石过程中,衬底温度对金刚石薄膜质量及形貌的影响,同时研究了所
【机 构】
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西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
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CVD法所制备的金刚石薄膜自然地具有氢终端和负电子亲和势,非常有利于二次电子的发射.本文探讨了CVD法制备金刚石过程中,衬底温度对金刚石薄膜质量及形貌的影响,同时研究了所制备金刚石薄膜的二次电子发射特性.实验结果表明,金刚石薄膜的质量和形貌随衬底温度的改变而变化,当衬底温度为1050℃时,金刚石薄膜的二次电子发射系数最高,在200eV电子入射条件下所测得的二次电子发射系数达到5.
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