ZnO纳米棒/纳米锥阵列制备及其场发射性质研究

• 作 者: 曹培江[1]韩舜[1]王欣[2]刘新科[1]柳文军[1]贾芳[1]曾玉样[1]朱德亮[1]吕有明[1]
• 机 构: 深圳大学材料学院,广东深圳518060
• 出 处: 中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
• 发表日期: 2016年期

采用化学气相沉积法在厚度约450nm的ZnO晶种层上分别生长了ZnO纳米棒/纳米锥阵列,并对其场发射特性进行了研究.研究结果发现:沿c轴择优取向的ZnO晶种层中含有较少缺陷;长度分别为7μm和3.5μm的Zn0纳米棒/纳米锥均沿[0001]方向生长,ZnO纳米棒/纳米锥包含大量氧空位缺陷;ZnO纳米棒顶端尺寸约150nm,而ZnO纳米锥具有非常尖锐的尖端;ZnO纳米棒/纳米锥的面密度分别为2.6×108/cm2和1.9×108/cm2;ZnO纳米锥具有相对较低的开启电场～6.1V/μm和较高的场增强因子～1641.本文对影响场发射性能的因素进行了讨论.