【摘 要】
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本文采用磁控溅射法在n型单晶硅衬底上沉积无定型氧化硅薄膜并通过高温退火处理分相形成纳米硅薄膜,制备了基于MOS型阴极结构的纳米硅薄膜平面型冷阴极并测试了电子发射特性.
【机 构】
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西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
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本文采用磁控溅射法在n型单晶硅衬底上沉积无定型氧化硅薄膜并通过高温退火处理分相形成纳米硅薄膜,制备了基于MOS型阴极结构的纳米硅薄膜平面型冷阴极并测试了电子发射特性.研究了不同工艺参数对纳米硅薄膜表面形貌及电子发射特性的影响,发现随着溅射过程中通入氧气流量比例的降低,薄膜表面颗粒尺寸逐渐变小,薄膜厚度呈现逐渐增厚的趋势.在氧气与氩气流量比为20sccm/20sccm及退火时间为60min的条件下得到了较好的电子发射特性,在18V栅极电压下测得二极管电流密度和发射电流密度分别为4.69mA/cm2和44.6μA/cm2并计算得到最高为0.95％的发射效率.
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