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真空沟道金属-氧化物-半导体(MOS)二极管是一种电子在真空沟道中的弹道传输与固态电子器件结构相结合的产物,兼具了真空电子器件和固态电子器件的优点.本文提出一种圆形真空沟道MOS二极管结构,并对其电子发射性能开展基于有限积分技术(FIT)的数值模拟研究.结果表明,真空沟道半径大小影响空间电荷虚阴极的位置及电势大小,进而影响器件发射电流密度.相关研究结果有助于理解此类结构真空电子器件的工作原理,同时为进一步研究改进其性能提供理论依据.