【摘 要】
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由于高介电常数(h-k)非晶介质氧化物薄膜能够满足未来高分辨率以及低功耗的显 示需求,我们采用溶胶凝胶法制备不同铪铝比(Hf/Al)的对铪铝氧化物(HAO)薄膜,并研究其对铪铝氧化物(HAO)薄膜光电性能的影响.通过原子力显微镜(AFM),X 射线衍 射(XRD)和紫外可见分光光度计以及电学性能测量分析,表明经500℃退火后的HAO膜表面光滑,粗糙度(RMS＜ 1nm)小,高的透过率(在可见光区域
【机 构】
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上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072
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由于高介电常数(h-k)非晶介质氧化物薄膜能够满足未来高分辨率以及低功耗的显 示需求,我们采用溶胶凝胶法制备不同铪铝比(Hf/Al)的对铪铝氧化物(HAO)薄膜,并研究其对铪铝氧化物(HAO)薄膜光电性能的影响.通过原子力显微镜(AFM),X 射线衍 射(XRD)和紫外可见分光光度计以及电学性能测量分析,表明经500℃退火后的HAO膜表面光滑,粗糙度(RMS＜ 1nm)小,高的透过率(在可见光区域内的平均值大于80％),为非晶状态,有利于作为薄膜晶体管(TFT)的栅绝缘层.当Hf/Al = 2：1 时,HAO 薄膜的介电常数为12.1,并且在2MV/cm 的场强下的泄漏电流密度小于1×107 A/cm2.这符合薄膜晶体管(TFT)对绝缘层泄漏电流的要求[1,2].我们使用HAO 作为绝缘层制备的TFT 器件开关比大于106.实验表明,溶胶凝胶法制备的HAO 膜是作为TFT 器件绝缘层的理想材料.
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