【摘 要】
：
我们报导有机半导体与金属电极、有机半导体与有机电解质界面效应产生的2 类记忆和学习现象。在Ti/PEDOT：PSS/Ti 结构器件中，利用界面Ti 化合物与半导体PEDOT：PSS 相互对立的阻变现象，模拟了基本的Hebian 学习模式和时间相关可塑性。在Ag/PEDOT：PSS/Ta 结构中利用Ag 导电细丝的动力学模拟了几种学习模式。利用离子在电解质PEO 和P3HT、MEH-PPV 的界面动
【机 构】
：
清华大学材料学院,教育部先进材料重点实验室,北京,100084
论文部分内容阅读
我们报导有机半导体与金属电极、有机半导体与有机电解质界面效应产生的2 类记忆和学习现象。在Ti/PEDOT：PSS/Ti 结构器件中，利用界面Ti 化合物与半导体PEDOT：PSS 相互对立的阻变现象，模拟了基本的Hebian 学习模式和时间相关可塑性。在Ag/PEDOT：PSS/Ta 结构中利用Ag 导电细丝的动力学模拟了几种学习模式。利用离子在电解质PEO 和P3HT、MEH-PPV 的界面动力学成功模拟出频率相关可塑性。我们的研究表明有机半导体在模拟神经突触功能方面具有巨大的潜力，在构建人工突触及神经形态电路方面将发挥重要的作用。
其他文献
In order to investigate the effect of Si addition in zirconium alloy,two kinds of alloy with and without Si are prepared by a sequence of three vacuum arc re-melting.Optical metallograph,TEM,corrosion
气体微流量测量是真空计量学的重要研究方向之一，广泛应用于超高真空规、真空漏孔的校准以及真空泵抽速的测量之中。本文简要介绍了国内外主要计量技术机构在气体微流量测量方面的研究工作，包括采用定容法、恒压法、固定流导法、分流法测量气体微流量并分析了各种方法的优缺点。详细介绍了兰州空间技术物理研究所在该方向的最新研究成果，包括采用基于非蒸散型吸气剂的固定流导法测量气体微流量技术、基于静态膨胀法真空基础标准的
具有宽发光波段的荧光材料在照明、光通讯等许多技术领域均发挥着关键作用。众所周知,由过渡金属离子的d-d 跃迁或稀土离子的d-f 跃迁导致的发光,其发光峰的波长受到发光离子化学环境的显著影响。基于该现象,我们提出通过制备具有成分梯度的薄膜,以实现薄膜中发光离子化学环境的多样化,进而获得宽发光波段的技术途径。利用射频共溅射技术制备了具有可调光致发光特性的Ca1-xSrxS：Eu 薄膜。通过调节CaS：
在超高真空系统中,采用同步辐射光电子能谱(SRPES)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、低能电子衍射(LEED)和超导量子干涉仪(SQUID)研究Fe/ZnO(000-1)界面温度效应对结构和化学组成的影响。通过Fe3p 和价带谱分析了温度对界面化学反应的作用,确定了金属Fe 在界面的两步氧化过程,即Fe → FeO → Fe2O3,其中,500℃和800℃是两个关键的氧化转变温度。利用FE-SE
将介绍一套自主设计搭建的原子层沉积系统。与现有商业化同类设备相比，该系统采用特殊设计的反应腔体、样品台、反应气路、电子控制单元和控制软件，具有四极质谱仪和石英膜厚检测仪等多种反应监控手段，可实现反映过程的精确控制和不同形态载体的原子层沉积生长。报告将按照系统的构成，对真空部分、电子控制单元以及控制软件进行介绍。
本文利用透射电子显微镜(TEM)对研究了镍硅(Ni/a-Si)薄膜间相互作用机制。通过对样品退火前后的对比发现：在550℃退火30min 后，镍向非晶硅中扩散，并以纳米团簇形式存在。同时在镍硅界面观察到化合物相(Ni2Si 或NiSi2)。原位TEM 研究表明， 500℃时，虽然观察到镍会沿着镍硅界面向非晶硅中扩散，但并没有明显的新物相析出；当温度升高到600℃时，会有新的化合物相(Ni3Si)在
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在湿法腐蚀后的Si(100)衬底上成功制备出了Y2O3：Bi,Yb减反转光薄膜.所制备的薄膜在300-800nm 可见光波长范围内的平均反射率普遍低于12％,相较裸硅的平均反射率47.8％显著降低,同时所制备薄膜在晶体硅太阳能电池最佳响应范围980nm 实现了良好下转光特性.研究表明,具有减反结构的Y2O3：Bi,Yb 下转光薄膜相较之前所做的非减反下转光薄膜,其转光
Sputter depth profling is a destructive method to obtain the in depth distribution of elemental composition in thin flms.Quantifcatio3n with respect to original in depth distribution requires conversi
在航空发动机设计和验证实验中,准确测量涡轮叶片等高温部件的表面温度及其分布十分重要.薄膜热电偶不仅克服了传统埋入式热电偶易干扰流场、会破坏叶片结构等缺点,而且凭借其可与叶片一体化集成、结构尺寸小、响应时间短、对测试环境影响小等特点,在发动机叶片表面测温方面具有很大的优势和应用前景.本文研究的金属基薄膜热电偶采用多层复合薄膜结构,选用PtRh/Pt作为功能层材料,即在Ni 基高温合金上溅射沉积NiC
金属Pd 诱导非晶硅(a-Si)晶化,实现了在较低温度下制备多晶硅薄膜[1].实验上发现,在退火条件下,Pd 晶界以及Pd 与(单晶)Si 衬底的界面处会形成金属间化合物Pd2Si.本文研究了Pd-Si 薄膜体系中的相变,利用界面热力学理论[2] 分析了金属Pd 诱导非晶硅晶化的机制,并解释了化合物在Pd 晶界和Pd/Si 界面交界处形成的原因.