【摘 要】
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目前，人们在制备形貌、取向可控纳米材料方面还面临巨大的挑战，而如何控制纳米线生长是制造纳米器件的关键所在。本文介绍了采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院,100124,北京 北京工业大学固体微结构与性能研究所,10012
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目前，人们在制备形貌、取向可控纳米材料方面还面临巨大的挑战，而如何控制纳米线生长是制造纳米器件的关键所在。本文介绍了采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si＜110＞ 取向定向生长。进一步地，透射电镜(TEM)结果显示纳米线是由一系非晶量子点组成。我们的研究结果为取向纳米线生长提供了新的简单的可器件化的制备方法，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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