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使用Geant4软件对正电子在材料中的分布以及磁场对正电子分布的影响进行了模拟，结果表明，磁场对于射入材料中的正电子在垂直于磁场方向的约束作用明显，而在平行于磁场的方向上基本没有约束性.以核素68Ga和18F为例，在磁场强度为3T的环境中，正电子在水中的点扩展函数的半高宽(FWHM)分别相对0T改变了14.8％和1.2％，表明在较低磁场作用下，高能核素受磁场的影响更大.