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正电子湮没谱学技术在研究材料内微观缺陷、微观结构相较于其他谱学分析技术有着独特的优势，在研究阳离子空位等负电性空位型缺陷方面，可获取材料内部微观缺陷的种类与分布信息。正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱在半导体材料内的空位缺陷的形成、演化机理以及分布等方面应用广泛，慢正电子束流技术则主要用于研究半导体薄膜材料的表面、界面中微观缺陷的深度分布。本文介绍了半导体材料制备工艺参数、热处理、离子注入和辐照效应等情况下缺陷的形成和演化过程的微观机理的研究进展。