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采用自选开发研制磁增强活性反应离子镀(ME-ARE)系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比(Ar/N<,2>)和基片温度沉积参数对立方氮化硼膜形成的影响规律.
ME-ARE法脉冲直流偏压下立方氮化硼膜的合成
【摘 要】
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采用自选开发研制磁增强活性反应离子镀(ME-ARE)系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片
【机 构】
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北京科技大学材料科学与工程学院(北京)
【出 处】
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2000年中国博士后学术会议
【发表日期】
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2000年期
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