光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

• 作 者: 陈宝钦;任黎明;胡勇;龙世兵;陆晶;杨清华;张立辉;牛洁斌;刘明;徐秋霞;薛丽君;李金儒;汤跃科;赵珉;刘珠明;王德强;
• 机 构: 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室,北京,100029
• 出 处: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
• 发表日期: 2005年期

中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠的ETECMEBES4700SE-BeamPatternGeneratorSystem组成的微光刻技术实验室.为满足科研和生产的需要,我们长期以来一直开展微光刻技术和微纳米加工技术的研究,并取得了很好的应用效果.本文主要介绍如何实现这些曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,并进行了如下的研究工作:(Ⅰ)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(Ⅱ)ASM2500/5000投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(Ⅲ)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(Ⅳ)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(Ⅴ)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.本技术已成功地应用于我们研究所及兄弟高等院校和科研院所开展的纳米器件和集成电路的研制工作,为保障这些部门顺利完成"九.五"和"十.五"科研攻关任务做出了重要的贡献.我们应用这些技术实现了20nm线条曝光、研制成功27nmCMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.