一种新颖的应变Si沟道pMOSFET制作技术

• 作 者: 张静 徐婉静 谭开洲 李荣强 李开成 刘道广 刘伦才 舒曼
• 机 构: 模拟集成电路国家重点实验室,400060
• 出 处: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 沟道 异质结场效应晶体管 原子力显微镜 空穴迁移率 分子束外延 制作过程 位错密度 测试结果 粗糙度 器件 均方 检测 技术 厚度 表面

在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si技术,大大减少了驰豫SiGe层所需的厚度.TEM检测结果,应变Si层线位错密度低于106cm-2;原子力显微镜(AFM)测试,其表面均方粗糙度(RMS)小于10.2(A).器件测试结果,与相同条件下的体SipMOSFET相比,空穴迁移率μp提高了25﹪.