非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用研究

• 作 者: 蒋玉龙 茹国平 屈新萍 李炳宗
• 机 构: 复旦大学微电子学系,上海200433
• 出 处: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 非晶化处理 离子注入技术 工艺 剖面透射电镜 实验 能量需要 合理优化 硅化 反应形成 反应过程 再分布 分析表 杂质 晶层 衬底 表面

在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.本文研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果也表明这种非晶化未对硅化反应过程中杂质的再分布产生影响,但是剖面透射电镜分析表明这种非晶化所需能量需要合理优化.