直流磁控溅射ZnO：Ga薄膜的性能研究

• 作 者: 谢轲[1]蔡宏琨[1]陶科[1]宋玲妍[2]张德贤[1]
• 机 构: 南开大学信息学院电子科学与微电子系,天津 300071
• 出 处: 第十一届中国光伏大会暨展览会
• 发表日期: 2010年期

本文分别以PEN和玻璃为衬底材料，用直流磁控溅射的方法制备ZnO薄膜，作为pin型非晶硅太阳电池的面电极。在不同的溅射功率下，Zn0薄膜表现出不同的光学特性和电学性能。对比玻璃和PEN衬底，通过XRD、霍尔等测试发现不同衬底Zn0薄膜的光电特性和结构具有相同的变化规律。将优化的ZnO薄膜应用于透明柔性衬底PEN作为pin型非晶硅薄膜太阳电池的面电极。