电子束沉积In2O3基W、Mo共掺薄膜及其特性研究

• 作 者: 任世荣[1]陈新亮[2]张存善[3]李林娜[2]张德坤[2]孙建[2]耿新华[2]赵颖[2]
• 机 构: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071 河北工业大学信息工程学院.天津 300130
• 出 处: 第十一届中国光伏大会暨展览会
• 发表日期: 2010年期

利用电子束反应沉积技术生长高迁移率IMwo(In2 03：w03/M003)薄膜，研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度时薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响。IMWO薄膜的表面形貌呈现“类金字塔”型。随着WO3-MoO3共掺量的增加，IMWO(In2O3：WO3/MoO3)薄膜的电阻率依次下降，裁流子浓度逐渐增加，在共掺量为1.0％时，制得相对较高电子迁移率的薄膜，电子迁移率μ～45.5cm2V-1s-1，电阻率ρ～3.66×10-4Ωcm，电子的载流子浓度n～3.74×1020cm-3，方块电阻R5～22.88Ω，400～1100nm光谱区域内的平均透过率～76％。