热处理对ZnO：Ga薄膜性能的影响

• 作 者: 宋玲彦[1]陈贵峰[1]万尾甜[1]蔡宏琨[2]谢轲[2]张德贤[2]
• 机 构: 河北工业大学材料物理与化学专业,天津 300130
• 出 处: 第十一届中国光伏大会暨展览会
• 发表日期: 2010年期

本文采用直流磁控溅射工艺制备ZnO：Ga薄膜，并对薄膜进行热处理。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计等对热处理前后薄膜的晶体结构和光学性能进行研究。结果表明：ZnO：Ga薄膜在热处理后其晶体结构得到明显改善即(002)衍射峰强度增加，半高宽减小，晶化程度提高;在可见先范围内平均透过率由退火前的74％提高到82％以上。并将其应用到非晶硅太阳电池上，发现退火后电池的转换效率提高了1.02％。