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设计了一种基于多晶硅二极管的DMOS器件的ESD保护。多晶硅二极管作为ESD保护较体硅二极管而言，降低了器件泄漏电流，消除了衬底耦合噪声和寄生效应。仿真分析了多晶硅二极管ESD保护结构，确定了结构参数，并对其ESD保护能力进行验证。其后结合HBMESD测试电路，进行电热耦合仿真，得到设计器件在1000μm的器件宽度下ESD保护能力达到HBM2kV。所设计的ESD保护DMOS器件即将流片生产，其测试工作将在下一步进行。