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基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效，得到各保护器件参数与功率器件抗ESD能力的解析关系，且模型结果与数值仿真结果吻合良好。通过对模型进行解析运算，得到栅极输入串联电阻、保护二极管等效寄生电阻与击穿电压、功率VDMOS的栅源电容与栅氧厚度与器件抗ESD能力的关系，为功率VDMOS的ESD保护提供重要指导。