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针对70V BCD工艺中核心器件的特殊性，采用Matlab进行了器件参数提取。在Tsuprem4和Medici的仿真基础之上，以HVPMOS为例，阐述了高压器件的参数提取过程，并将所得参数带入电路进行仿真比较,，得到了很好验证。在此基础之上，分析了参数提取过程中导致λ和rd有较大误差的原因。