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对所提出的新型三维横向功率器件SLOP-LDMOS的工作原理进行分析，借助仿真器设计该器件的结构参数。该器件在N区的注入剂量为4×1012cm-2,P区注入剂量为4.85×1012cm-2时，SLOP-LDMOS的击穿电压为288V，比导通电阻为30.78mΩ·cm2；相对于LDMOS的51.04mΩ·cm2(340V)降低了39.69％，较好改善了击穿电压与比导通电阻的矛盾。