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提出了一种具有局域寿命控制的FS结构IGBT，建立了局部寿命控制区引入后的电流下降过程的瞬态模型，数值分析结果表明：FS-IGBT的基区中引入一局部寿命控制层，关断时间比常规FS-IBGT器件减少了24.2％，正向饱和压降只增加了10.9％，局域寿命控制区域的厚度变化对关断时间影响比少子寿命变化的影响大得多。