【摘 要】
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目前采用高迁移率Ⅲ-Ⅴ族材料半导体来替代Si材料延展摩尔定律已经是近期微电子领域的前沿课题.而Si衬底上选区外延生长Ⅲ-Ⅴ族材料被认为是一种获得高质量Ⅲ-Ⅴ族材料的重要
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院物理研究所,北京,100190
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目前采用高迁移率Ⅲ-Ⅴ族材料半导体来替代Si材料延展摩尔定律已经是近期微电子领域的前沿课题.而Si衬底上选区外延生长Ⅲ-Ⅴ族材料被认为是一种获得高质量Ⅲ-Ⅴ族材料的重要技术路线.本论文系统地研究了在Si (001)衬底纳米尺寸Ⅴ型槽(宽度＜50nm)上外延初始缓冲层对GaAs材料的影响.通过XRD和SEM等表征手段,我们优化了GaAs初始缓冲层的工艺参数,并分析了外延过程中的生长机理.另外利用低温PL手段分析了GaAs薄膜材料中的应力变化情况.实验结果表明在GaAs初始缓冲层优化的条件下,GaAs薄膜材料展示出更好的表面形貌及晶体质量.
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