【摘 要】
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InAs/GaAs量子点作为制备技术较为成熟的低维化合物半导体材料,近年来被应用于新型薄膜太阳能电池材料的研究开发.然而由于具有较短的带间复合时间,Ⅰ类InAs/GaAs量子点本身
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室美国加州大学洛杉矶分校加州纳米系统研究所
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InAs/GaAs量子点作为制备技术较为成熟的低维化合物半导体材料,近年来被应用于新型薄膜太阳能电池材料的研究开发.然而由于具有较短的带间复合时间,Ⅰ类InAs/GaAs量子点本身又可能成为光生载流子的复合中心,从而不利于电池效率的提升.Ⅱ类GaSb/GaAs量子点虽然具有较宽的吸收光谱和较长的带间复合时间,但其吸收效率不如InAs/GaAs量子点材料.能否通过Ⅰ类InAs/GaAs量子点和Ⅱ类GaSb/GaAs量子点的耦合结构来结合两者的优势是我们着手研究的问题.
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