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波长位于1～3μm波段的短波红外光电探测器及其阵列在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用[1].而In Ga1-xAs材料通过调节In组分波长可以覆盖0.87～3.5μm波段,且具有高迁移率等优点,尤其是InGaAs探测器能够室温工作,因此备受关注.
GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构中InAlAs缓冲层的优化
【摘 要】
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波长位于1～3μm波段的短波红外光电探测器及其阵列在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用[1].而In Ga1-xAs材料通过调节In组分波长可以覆盖0.87～3.5μm波段,且具有高
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050吉林大学教育部材料科学与工程学院汽车材料重点实验室,长春,130025
【出 处】
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第十一届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2015年8期
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