【摘 要】
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理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga, Mn)Sb及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性,近年来受到了特别关注.但是,由于(Ga,Mn)Sb薄膜生长窗口窄,纯相(Ga,Mn)Sb薄膜制备
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083
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理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga, Mn)Sb及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性,近年来受到了特别关注.但是,由于(Ga,Mn)Sb薄膜生长窗口窄,纯相(Ga,Mn)Sb薄膜制备比较困难,迄今关于这类材料的研究报道为数不多.本文采用低温分子束外延的方法,通过优化生长条件,成功制备出厚度为10nm,Mn含量在0.016至0.039之间的多组(Ga,Mn)Sb薄膜样品.生长过程中反射式高能电子衍射原位监测和磁性测量都表明没有MnSb等杂相的偏析,同时原子力显微镜图像表明其表面形貌平滑,粗糙度小.通过生长后退火处理,(Ga, Mn)Sb薄膜的最高居里温度达到30K.此外,本文研究了霍尔电阻和薄膜电阻随磁场的变化关系,在低温下观测到明显的反常霍尔效应.
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