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本文利用射频等离了体辅助分子束外延方法，在氧化镁衬底上通过优化界面工艺，制备了电学性能较好的氧化亚铜薄膜。薄膜的电阻率最低可到7.02Ωcm，迁移率为30-40cm2/Vs，载流了浓度约为2.5x1016cm-3，与目前已报道的结果相比，薄膜电学性能得到了较大的改善。薄膜表面比较平整，均方根粗糙度为9.66nm。利用室温反射谱测试可知，氧化亚铜薄膜的带隙宽度为2.46eV。上述结果表明，本文获得了电学性能良好、表面形貌较为平整的p型氧化亚铜材料，为后续的器件研制奠定了坚实的基础。