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针对超高速数字和数模混合电路的应用，设计了InP基DHBT结构。其中发射极采用n型掺杂的InP材料，基极采用与InP衬底匹配的重掺杂的InGaAs材料，集电极采用InGaAs/InGaAsP/InP材料实现，其中InGaAs/InGaAsP材料为消除集电极导带尖峰、减小电流阻挡效应实现的组分渐变结构。