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本文以AlGaInAs四元系为例，介绍GSMBE材料生长和器件研制工作常规量子型光电探测器本质上仍是一种具有宽谱响应的器件，对于能量大于其禁带宽度的光子均可以有响应。光电探测器在长波端一般表现出锐截止特征，其截止波长入。取决于材料的禁带宽度Eg，接近截止波长时响应急剧下降，此后探测器将无任何响应;在短波端光电探测器常呈现缓截止的特征，即响应随波长变短响应缓慢下降，下降速率根据材料和器件设计会有所变化，但一般不具有明显的截止波长。通过合理的设计，光电探测器的响应光谱范围和形状可以在一定范围内进行裁剪使之适应特定的探测要求，并充分抑制宽谱响应可能带来的干扰。以AlGaInP四元系及AlInP，InGaP三元系为例，选取合适的材料组分可以对探测器的响应波长进行裁剪使之满足特定要求。