【摘 要】
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微波介质材料薄膜化研究已成为近年来微波器件与电路集成化的趋势。为了获得良好的介电性能,往往需要材料的处理温度较高(通常高于800℃),这会造成与单片微波集成电路(MM
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054
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微波介质材料薄膜化研究已成为近年来微波器件与电路集成化的趋势。为了获得良好的介电性能,往往需要材料的处理温度较高(通常高于800℃),这会造成与单片微波集成电路(MMIC)工艺的不兼容。因此开发出具有良好微波介电性能的低温处理材料,对于GaN、GaAs MOSFET器件研制以及MMIC的全单片集成有重要价值。本文主要介绍了以超低温烧结材料Zn2Te3O8-30wt%TiTe3O8 (ZTT)为靶材的,以磁控溅射为主要手段制备的ZTT薄膜的超低处理温度及其优良的微波介电性能。通过对Zn-Ti-T系低温微波陶瓷的薄膜化研究,在200℃基片温度下制备出介电常数εr~25,损耗tanδ<5×10-3,漏电流密度~10-9A/cm2,高击穿电压的低温微波陶瓷薄膜材料。开发了兼容MMIC的金属-绝缘体-金属(MIM)微波电容制作工艺,可实现大容量退耦/旁路电容片上的集成。
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