【摘 要】
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高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)放电可产生高密度、高溅射粒子离化率的等离子体,能够在基片表面获得高通量的靶材离子束流和自离子辅助的沉积效果,沉积薄膜的显微结构、膜基结合力等较常规磁控溅射工艺有明显改善。高密度靶材离子的产生与HiPIMS 放电自溅射的产生和发展密切相关。采用等离子体整体模型研究了Ar 气氛中HiPIMS 放电的物理过程,揭示了不同靶材料、不同工艺条件下,一个脉冲内HiPIMS 放
【机 构】
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北京大学深圳研究生院新材料学院,广东深圳,518055
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高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)放电可产生高密度、高溅射粒子离化率的等离子体,能够在基片表面获得高通量的靶材离子束流和自离子辅助的沉积效果,沉积薄膜的显微结构、膜基结合力等较常规磁控溅射工艺有明显改善。高密度靶材离子的产生与HiPIMS 放电自溅射的产生和发展密切相关。采用等离子体整体模型研究了Ar 气氛中HiPIMS 放电的物理过程,揭示了不同靶材料、不同工艺条件下,一个脉冲内HiPIMS 放电自溅射的产生和发展。结果 表明,溅射粒子离化率和自溅射程度随峰值功率密度的提高而增加;接近自持自溅射时,随功率密度的进一步提高离子返回靶的概率减小,流向基片的离子通量大幅提高。具有较高自溅射率和较低电离能的靶材料容易实现自持自溅射和高通量的靶材离子沉积束流。
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