效率31%高效三结电池

来源 :中国真空学会2016学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangtingzhi2009
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  中国电子科技集团公司第十八研究所研制了批生产平均效率达到30.6%的高效GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池(AM0,25oC,136.7 mW/cm2),最高光电转换效率超过31%.经1MeV,累积通量1e15 cm-2 电子辐照后,功率衰降16%,本文同时给出了其它性能测试结果,环境模拟试验后,电性能衰降小于2%.
其他文献
高功率磁控溅射技术具有膜层致密、膜基结合力好以及薄膜均匀等优点,已经得到国际镀膜大公司(如Balzers,cemecon 等)以及学术界的广泛重视,但是其较低的沉积速率成为制约其发展的重要因素.这是因为高功率脉冲磁控溅射利用了高压(0.5~2.0kV)、大电流(100-1000A)脉冲作用在磁控靶上诱导高密度等离子体放电.但由于高的靶电压使得等离子体中的金属离子回吸以及电流中的二次电子比例增多,使
椭偏仪是一种基于光学偏振进行微纳米薄膜光学常数和膜厚测量的精密仪器,其基本原理是通过测量偏振光在待测表面反射前后偏振态的变化来反演分析样件光学常数和膜厚等信息。相比于其他光学薄膜测量手段,椭偏仪是一种自参考测量方式,光谱灵敏度高,是目前进行纳米级薄膜光学常数和膜厚高精度测量最有效手段。本文将介绍一种新型双旋转补偿器调制椭偏测量仪器——穆勒矩阵椭偏仪,将从该仪器偏振调制与解调制原理,该仪器测量优势到
n 型基底良好的表面钝化效果对高效异质太阳电池的发展具有重要意义[1].目前,a-Si(i)薄膜由于其制备能耗低及易于大面积成膜等优点成为科研及产业界备受关注的钝化材料之一[2].本文采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术研究了硅烷浓度、气体压强、流量及功率对a-Si(i)薄膜性能的影响.结果 表明:随着压强的增加,薄膜内空洞呈先急剧下降后变缓趋势,当工作气压为1200mTorr 时,制备的a
基于 Cu(In,Ga)Se2 的薄膜太阳电池由于实验室效率的持续提升,近年来一直受到高 度关注.作为 CIGS 电池的最基本器件结构,Glass/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/AZO/Ni/Al/Ni结构 依然是目前实验室最高效率电池中最常见的结构[1].在电池的所有薄膜层中,i-ZnO的作 用无疑是最为让人困惑的[2].关于 i-ZnO 的相关研究报道相对较少,很多工艺参数并没有 文献参
非真空法制备 CIGS 薄膜具有设备成本低、原材料利用率高、能源消耗少、生产效率 高等优点,是 CIGS 薄膜太阳电池发展的重要方向之一.采用电沉积法在镀 Mo 玻璃上电沉 积制备 Cu/In/Ga 叠层金属预制层,并在柔性不锈钢基底上电沉积制备硒薄膜,然后以硒薄 膜为平面硒源在高压 N2 气氛中非真空硒化 Cu/In/Ga 叠层金属预制层制备CIGS 薄膜.对真 空和非真空合金化进行了对比研究,
高功率脉冲磁控溅射技术(HIPIMS)作为一门新兴的高电离物理气相沉积技术具有广阔的应用前景.然而该技术应用到工业过程中时,其电子利用效率低以及系统金属粒子离化率仍有待进一步提高.本文提出了一种电场增强高功率脉冲磁控放电(EF-HIPIMS)新技术,利用电流传感器及等离子体发射光谱仪等手段研究了辅助阳极对HIPIMS 放电行为的影响,利用ANSYS 软件对该技术放电时电场和电势的空间分布进行了仿真
Cu2ZnSnSe4(CZTSe)作为CIGS 的替代材料,是一种具有巨大发展潜力的新型低成本化合物半导体薄膜太阳电池.本文采用溅射后硒化的方法研究了在不同Se 蒸汽下CZTSe 薄膜的生长过程.研究发现Se 蒸汽成分对CZTSe 薄膜的致密度和元素扩散具有重要的影响.通过调控硒化过程中的Se 蒸汽的成分,提出优化的两步硒化工艺,CZTSe 薄膜的结晶质量得到了明显的改善.本文进一步研究了Cu 含
DLC 薄膜具有低摩擦系数、高耐磨性和优异的耐腐蚀性能,但其较高的残余应力及与金属基体较差的膜基结合力极大限制了超厚DLC 薄膜的制备和应用.基于空心阴极放电的金属网等离子浸没沉积(Meshed Plasma Immersion Ion Deposition-简称MPIID)技术,具有高沉积速率的优势,是制备超厚DLC 薄膜的有效方法.但由于工件与笼形空心阴极内等离子体电位差只有几十个eV,极大限
三氧化钨具有良好的电致变色性能.本文用溶胶凝胶法制备氧化钨薄膜,以偏钨酸铵,聚乙二醇400 和去离子水配置成前驱体溶液,旋涂成膜,分别在不同温度下进行热处理.为了提高薄膜质量,添加了少量聚乙烯吡咯烷酮(PVP),并在500℃下热处理成膜.X射线衍射(XRD)结果表明,热处理温度的变化会导致薄膜的晶体结构的变化:300℃和350℃热处理制备的氧化钨处于非晶态;400℃和450℃热处理制备的氧化钨薄膜
A NiO/RGO hybrid film is prepared by a sol-gel method [1].The microstructures of the hybrid films were characterized by X-ray diffraction and scanning electron microscopy.The results show that NiO/RGO