溅射工艺参数对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜沉积速率和介电性能的影响

• 作 者: 林明通 肖田 楼均辉 陈晨曦 陈国荣 杨云霞
• 机 构: 华东理工大学材料科学与工程学院,上海,200237
• 出 处: 2005’全国真空冶金与表面工程学术会议
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 射频磁控溅射 工艺参数 薄膜 沉积速率 介电性能 显微结构 结果分析 结构研究 溅射气压 溅射功率 基片温度 工艺条件 组成 晶相 法制

　　本文用射频磁控溅射方法制备了厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,采用Al/BST/ITO结构研究了溅射功率、溅射气压、O2/(Ar+O2)比和基片温度对上述BST薄膜沉积速率和介电性能的影响,并根据这些结果分析了较优的工艺条件,同时用XRD、XPS和SEM研究了薄膜的晶相、组成和显微结构。